Askeri radar sistemlerinde veri aktarım hızını katlamak amacıyla geliştirilen yeni Galyum Nitrür (GaN) çipi, laboratuvardan sahaya iniş süresini altı ayın altına indirerek savunma elektroniğinde yeni rekora imza. Ayrıca, Northrop Grumman tarafından üretilen mikroçip, uydular radarlar için ultra güvenli kablosuz veri iletimi sağlayan yüksek frekanslı W-band spektrumunu tam kapasiteyle kullanabilen ilk çözümlerden biri.
Kaliforniya’daki Redondo Beach tesisinde geliştirilen yarı iletken teknolojisi, hem askeri haberleşme ağlarını hem yeni nesil 5G/6G sivil altyapılarını destekleyecek şekilde tasarlandı.
Yüksek Frekansta Kesintisiz Güç VerimlilikKüçük boyutuna rağmen kablosuz sinyalleri güçlendiren son derece verimli mimariye sahip olan GaN çipi, yüksek enerji tüketen hantal ekipmanların yerini alıyor. Ayrıca, W-band spektrumunun yüksek frekanslı yapısı sayesinde askeri radarlar çok daha ayrıntılı verileri geleneksel sistemlere kıyasla katbekat hızlı alıp iletme kabiliyeti kazanıyor.
Galyum Nitrür teknolojisinin sağladığı yüksek güç yoğunluğu, operasyonel sahadaki askeri birimler için sinyal netliğini artırırken, siber tehditlere karşı kablosuz veri akışının güvenliğini maksimum seviyeye çıkarıyor.
🔍 Yarı iletken Ar-Ge süreçlerinde ezber bozan hız, ABD Savunma Bakanlığı Araştırma Mühendislik Müsteşarlığı (Office of the Under Secretary of Defense for Research and Engineering) tarafından finanse edilen Microelectronics Commons California DREAMS Hub programı sayesinde elde edildi. Ayrıca, Northrop Grumman’ın lider ortakları arasında yer aldığı konsorsiyum; sanayi, devlet akademi iş birliğiyle kritik mikroçip inovasyonlarının laboratuvardan cepheye pazara olan yolculuğunu minimuma indirmeyi hedefliyor. : külliyehaberajansı– Northrop Grumman
